Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| STGB20NB37LZ | IGBT-транзистор на 400 В, 20 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
400 | 20 | 100 | 1.35 | 2300 | 600 | 2000 | 11500 | 8800 | 11800 | 200 | Нет | -55 ... 175 |
D2-PAK |
| IXGT72N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 72А, ультранизкий Vsat для частоты коммутации выше 5кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 72 | 110 | 1.35 | 29 | 32 | 510 | 375 | 2.6 | 6.5 | 540 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGN72N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 68А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 68 | 110 | 1.35 | 29 | 32 | 510 | 375 | 2.6 | 6.5 | 360 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGH72N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 72А, ультранизкий Vsat для частоты коммутации выше 5кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 72 | 110 | 1.35 | 29 | 32 | 510 | 375 | 2.6 | 6.5 | 540 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGR72N60A3H1 | IGBT-транзистор, 600 В, 52А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 52 | 110 | 1.35 | 29 | 34 | 510 | 375 | 2.6 | 6.5 | 200 | Да | -55 ... 150 |
|
| STGP35N35LZ | IGBT-транзистор на 345 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
345 | 30 | 100 | 1.3 | 1100 | 700 | 26500 | 5500 | - | - | 176 | Нет | -55 ... 175 |
TO-220 |
| STGB35N35LZ | IGBT-транзистор на 345 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
345 | 30 | 100 | 1.3 | 1100 | 700 | 26500 | 5500 | - | - | 176 | Нет | -55 ... 175 |
D2-PAK |
| STGB20NB41LZ | IGBT-транзистор на 410 В, 20 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
412 | 20 | 100 | 1.3 | 1000 | 220 | 12100 | 1600 | 5 | 12.9 | 200 | Нет | -55 ... 175 |
D2-PAK |
| STGP18N40LZ | IGBT-транзистор на 390 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
390 | 30 | 100 | 1.3 | 650 | 3500 | 13500 | 5500 | - | - | 150 | Нет | -55 ... 175 |
TO-220 |
| STGD18N40LZ | IGBT-транзистор на 390 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
390 | 25 | 100 | 1.3 | 650 | 3500 | 13500 | 5500 | - | - | 125 | Нет | -55 ... 175 |
D-PAK |
| STGB18N40LZ | IGBT-транзистор на 390 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
390 | 30 | 100 | 1.3 | 650 | 3500 | 13500 | 5500 | - | - | 150 | Нет | -55 ... 175 |
D2-PAK |
| STGP10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
410 | 10 | 100 | 1.3 | 1300 | 270 | 8000 | 1400 | 2.4 | 5 | 125 | Нет | -65 ... 175 |
TO-220 |
| STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
410 | 10 | 100 | 1.3 | 1300 | 270 | 8000 | 1400 | 2.4 | 5 | 125 | Нет | -65 ... 175 |
D2-PAK |
| STGP10NB60SFP | 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.25 | 700 | 460 | - | 1200 | 0.6 | 5 | 25 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGB10NB60S | 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.25 | 700 | 460 | - | 1200 | 0.6 | 5 | 80 | Нет | -55 ... 150 |
D2-PAK |
| STGP10NB60S | 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.25 | 700 | 460 | - | 1200 | 0.6 | 5 | 80 | Нет | -55 ... 150 |
TO-220 |
| IXGN400N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 430А, частота коммутации 5...40 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.25 | 50 | 50 | 295 | 225 | 4.4 | 4.25 | 1000 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGH56N60A3 | IGBIGBT-транзистор, 600 В, 56А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 56 | 110 | 1.22 | 24 | 42 | 495 | 415 | 2 | 6.75 | 330 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGN200N60A2 | IGBT-транзистор, 600 В, 200А, оптимизированный для частоты коммутации выше 5кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 110 | 1.2 | 60 | 60 | 290 | 660 | 3 | 12 | 700 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGN120N60A3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 120А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 120 | 110 | 1.2 | 40 | 83 | 420 | 410 | 3.5 | 10.4 | 595 | Да | -55 ... 150 |
|
