Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| MMIX1G75N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 65А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 65 | 90 | 2.5 | 55 | 225 | 270 | 455 | - | - | 430 | Нет | -55 ... 150 |
|
| T0360NB25A | Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 360 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 360 | - | 2.1 | 950 | 2000 | 1300 | 7500 | 850 | 600 | 1800 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W40 |
| IXGL75N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 65А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 65 | 90 | 2.5 | 55 | 225 | 270 | 455 | - | - | 430 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGV25N250S | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 60А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 25 | 110 | 2.9 | 68 | 233 | 209 | 200 | - | - | 250 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGT25N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 60А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 25 | 110 | 2.9 | 68 | 233 | 209 | 200 | - | - | 250 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGH25N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 60А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 25 | 110 | 2.9 | 68 | 233 | 209 | 200 | - | - | 250 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXLF19N250A | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 32А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 19 | 90 | 3.2 | 100 | 50 | 600 | 250 | 15 | 30 | 250 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGF25N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 30А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 15 | 110 | 2.9 | 68 | 233 | 209 | 200 | - | - | 114 | Нет | -55 ... 150 |
|
| MMIX4G20N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 23А, конфигурация H-Bridge |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 14 | 90 | 3.1 | 57 | 160 | 136 | 930 | - | - | 100 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGF20N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 23А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 14 | 90 | 3.1 | 57 | 160 | 136 | 930 | - | - | 100 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGT2N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 4А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 4 | 110 | 4.6 | - | - | 385 | 86 | - | 0.8 | 150 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGH2N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 4А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 4 | 110 | 4.6 | - | - | 385 | 86 | - | 0.8 | 150 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGT2N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 2А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 2 | 110 | 2.6 | 26 | 89 | 74 | 204 | - | - | 32 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXBH20N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 20 | 110 | 2.7 | 68 | 540 | 300 | 395 | - | - | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF32N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 22А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 22 | 90 | 2.8 | 58 | 515 | 165 | 630 | - | - | 160 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBT12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 110 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 160 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBH12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 110 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 160 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF20N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 15А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 15 | 90 | 2.7 | 68 | 540 | 300 | 395 | - | - | 110 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 90 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
| MMIX4B12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 90 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
