Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| T0340VB45G | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 340 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 340 | - | 2.8 | 3700 | 3600 | 1800 | 2200 | 2400 | 1300 | 2750 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W67 |
| T0900DF65A | Press-Pack IGBT транзистор |
|
IXYS |
IGBT |
6500 | 900 | 25 | 3.6 | 1600 | 3100 | 4500 | 2300 | 6500 | 5300 | 10600 | Да | -40 ... 125 | - |
| T0258HF65G | Press-Pack IGBT транзистор |
|
IXYS |
IGBT |
6500 | 258 | 25 | 3.6 | 1700 | 3500 | 5000 | 2200 | 1800 | 1450 | 3000 | Да | -40 ... 125 | - |
