Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| DMN2004DMK | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 2 | 20 | 700 | - | - | 400 | - | 0.54 | 0.225 |
|
| MAX15025B | 16нс, двухканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN |
|
Maxim Integrated |
Ключи и драйверы MOSFET |
- | 2 | - | - | - | - | - | - | 8 | - |
|
| IRF7807V | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 25 | - | 8.3 | 2.5 |
SOIC-8 |
| Si4403BDY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | 24 | - | 18 | 14 | - | 7.3 | 1.35 |
SOIC-8 |
| FDS6574A | 20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 5 | - | - | 4 | - | 16 | 2.5 |
SOIC-8 |
| IRF5810 | HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
P | 2 | 20 | - | - | 135 | 90 | - | 2.9 | 0.96 |
|
| NTB18N06L | Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level N?Channel D2PAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | - | 15 | 48.4 |
D2-PAK |
| DMN3150LW | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 28 | - | - | - | 73 | - | 1.6 | 0.35 |
SOT-323 |
| Si7601DN | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | - | - | 25 | 16 | - | 16 | 52 |
PowerPAK_1212-8 |
| NTGD3133P | Power MOSFET ?20 V, ?2.5 A, P?Channel, TSOP?6 Dual |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 2 | -20 | - | - | - | 90 | - | -2.2 | 1 |
|
| Si3473DV | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 12 | 33 | - | 24 | 19 | - | 5.9 | 1.1 |
|
| NTGS1135P | Power MOSFET ?8 V, ?5.8 A, Single P?Channel, TSOP?6 |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -8 | 37 | - | - | 22 | - | -4.6 | 0.97 |
|
| DMP2104V | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 180 | - | - | 92 | - | -0.86 | 0.17 |
|
| FDMC8651 | N-Channel Power Trench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 4.3 | - | 20 | 41 |
Power 33 |
| Si1305EDL | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 8 | 440 | - | 315 | 230 | - | 0.86 | 0.29 |
SC70-3 |
| NTJD4401N | Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 20 | - | - | - | 290 | - | 0.63 | 0.91 |
|
| NTB30N06L | Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level, N?Channel D2PAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | - | 30 | 88.2 |
D2-PAK |
| ZXM61P02F | 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -20 | - | - | - | 600 | - | -0.9 | 0.8 |
SOT-23-3 |
| MAX15025A | 16нс, двухканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN |
|
Maxim Integrated |
Ключи и драйверы MOSFET |
- | 2 | - | - | - | - | - | - | 8 | - |
|
| TSM2302CX | N-канальный MOSFET транзистор, 20 В, 2.8 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | 95 | - | 65 | - | 2.8 | 1.25 |
SOT-23-3 |
