Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 420 421 422 423 424 425 426 427 428 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTP3N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2900 2900 2900 2900 2900 3 70 TO-220
DMN5L06WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 50 3000 - - - - 0.3 0.25 SOT-323
DMN5L06K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 50 3000 - - - - 0.3 0.35 SOT-23-3
IXFT4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-268
DMN5L06DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 50 3000 - - - - 0.305 0.25 SOT-363
IXFH4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-247AD
IXFP4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-263
IXFA4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-220
DMN5010VAK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 50 3000 - - - - 0.28 0.25 SOT-563
IXFR4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 3.5 80 ISOPLUS247
DMN5L06VAK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 50 3000 - - - - 0.28 0.25 SOT-563
DMN5L06VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 50 3000 - - - - 0.28 0.25 SOT-563
IXFP4N100QM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 2.2 46 TO-220-3 ISO
BSH121 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
 N 1 55 3100 - 2400 2300 - 300 0.7 SOT-323
IXFP4N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 4 150 TO-220
IXFA4N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 4 150 TO-263
IXFP4N100PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 2.5 57 TO-220-3 ISO
NTUD3171PZ Small Signal MOSFET ?20 V, ?200 mA, Dual P?Channel, 1.0 x 1.0 mm SOT?963 Package ON Semiconductor MOSFET
 P 2 -20 3400 - 2000 - - -200 -125 SOT?963
IXTA4N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 3400 3400 3400 3400 3400 3.6 100 TO-263
IXTP4N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 3400 3400 3400 3400 3400 3.6 100 TO-220
Страницы: предыдущая 1 ... 420 421 422 423 424 425 426 427 428 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники