Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTX5N250 | Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 2500 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 5 | 960 |
|
|
IXTK5N250 | Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 2500 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 5 | 960 |
|
|
BS250F | SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -45 | - | - | - | - | 9000 | -0.09 | 0.33 |
SOT-23-3 |
|
IXTY1R4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 1.4 | 50 |
TO-252 |
|
IXTU1R4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 1.4 | 50 |
|
|
IXTP1R4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 1.4 | 50 |
TO-220 |
|
FQN1N60C | 600V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 9300 | 1.2 | 1 |
TO-92 |
|
FQU1N60C | 600V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 9300 | 1 | 28 |
|
|
FQD1N60C | 600V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 9300 | 1 | 28 |
D-PAK |
|
FQT1N60C | N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 9300 | 0.2 | 2.1 |
SOT-223-4 |
|
TSM1NB60CP | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А | Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 10000 | 0.5 | 39 |
TO-252 |
|
ZVP4105A | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -50 | - | - | - | - | 10000 | -0.175 | 0.625 |
TO-92 |
|
ZVN3310F | SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 10000 | 0.1 | 0.33 |
SOT-23-3 |
|
IXTY1R6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 1.6 | 100 |
TO-252 |
|
ZVN3310A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 10000 | 0.2 | 0.625 |
TO-92 |
|
IXTP1R6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 1.6 | 100 |
TO-220AB |
|
ZVN2120G | SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 10000 | 0.32 | 0.002 |
SOT-223-4 |
|
IXTA1R6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 1.6 | 100 |
|
|
ZVN2120A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 10000 | 0.18 | 0.7 |
TO-92 |
|
TN2535 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 350 | - | - | - | 10000 | 10000 | 1 | 1.6 |
SOT-89 |