Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTM5N100A | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 5 | 180 |
|
|
IXTY4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 4 | 89 |
TO-252 |
|
IXTU4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 4 | 89 |
|
|
IXTH12N140 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1400 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 12 | 890 |
|
|
IXTA6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 6 | 300 |
|
|
IXTH6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 6 | 300 |
|
|
IXTP6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 6 | 300 |
TO-220AB |
|
IXTY1R6N50D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 1.6 | 100 |
TO-252 |
|
IXTP1R6N50D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 1.6 | 100 |
TO-220AB |
|
IXTA1R6N50D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 1.6 | 100 |
|
|
IXTT6N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 2600 | 2600 | 2600 | 2600 | 2600 | 6 | 300 |
|
|
IXTH6N120 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 2600 | 2600 | 2600 | 2600 | 2600 | 6 | 300 |
|
|
IXFH6N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 2750 | 2750 | 2750 | 2750 | 2750 | 6 | 250 |
|
|
IXFA6N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 2750 | 2750 | 2750 | 2750 | 2750 | 6 | 250 |
|
|
IXFP6N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 2750 | 2750 | 2750 | 2750 | 2750 | 6 | 250 |
TO-220AB |
|
IXFA5N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2800 | 2800 | 2800 | 2800 | 2800 | 5 | 250 |
|
|
IXFP5N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2800 | 2800 | 2800 | 2800 | 2800 | 5 | 250 |
TO-220 |
|
IXFH5N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2800 | 2800 | 2800 | 2800 | 2800 | 5 | 250 |
|
|
IXTY3N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 2900 | 2900 | 2900 | 2900 | 2900 | 3 | 70 |
TO-252 |
|
IXTA3N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 2900 | 2900 | 2900 | 2900 | 2900 | 3 | 70 |
|