Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTM5N100A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 5 180 TO-204AA
IXTY4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 2000 2000 2000 2000 2000 4 89 TO-252
IXTU4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 2000 2000 2000 2000 2000 4 89 TO-251
IXTH12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-247
IXTA6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 2200 2200 2200 2200 2200 6 300 TO-263
IXTH6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 2200 2200 2200 2200 2200 6 300 TO-247
IXTP6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 2200 2200 2200 2200 2200 6 300 TO-220AB
IXTY1R6N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 2300 2300 2300 2300 2300 1.6 100 TO-252
IXTP1R6N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 2300 2300 2300 2300 2300 1.6 100 TO-220AB
IXTA1R6N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 2300 2300 2300 2300 2300 1.6 100 TO-263
IXTT6N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 2600 2600 2600 2600 2600 6 300 TO-268
IXTH6N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 2600 2600 2600 2600 2600 6 300 TO-247AD
IXFH6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-247
IXFA6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-263
IXFP6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-220AB
IXFA5N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 2800 2800 2800 2800 2800 5 250 TO-263
IXFP5N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 2800 2800 2800 2800 2800 5 250 TO-220
IXFH5N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 2800 2800 2800 2800 2800 5 250 TO-247
IXTY3N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 2900 2900 2900 2900 2900 3 70 TO-252
IXTA3N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 2900 2900 2900 2900 2900 3 70 TO-263




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019