Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFH20N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 570 570 570 570 570 20 660 TO-247
IXFH15N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-247AD
STF3NK100Z N-channel 1000V - 5.4? - 2.5A - TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 5400 2.5 25 TO-220FP
IXTM5N100A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 5 180 TO-204AA
STP8NK100Z N-CHANNEL 1000V - 1.60? - 6.5A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 1600 6.5 160 TO-220
IXFR32N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 340 340 340 340 340 18 320 ISOPLUS247
IXFX15N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 PLUS247
STD3NK100Z N-channel 1000V - 5.4? - 2.5A - DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 5400 2.5 90 D-PAK
IXTP2N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 7000 7000 7000 7000 7000 2 100 TO-220
IXFR26N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 430 430 430 430 430 15 290 ISOPLUS247
STF3NK100Z N-channel 1000V - 5.4? - 2.5A - TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 5400 2.5 25 TO-220FP
IXFT14N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 750 750 750 750 750 14 360 TO-268
STP3NK100Z N-channel 1000V - 5.4? - 2.5A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 5400 2.5 90 TO-220
IXTA2N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 7000 7000 7000 7000 7000 2 100 TO-263
IXFV15N100PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 760 760 760 760 760 15 543 PLUS220SMD
STW13NK100Z N-channel 1000V - 0.56? - 13A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 560 13 350 TO-247
STP3NK100Z N-channel 1000V - 5.4? - 2.5A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 5400 2.5 90 TO-220
IXFH14N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 750 750 750 750 750 14 360 TO-247AD
IXTT1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 60 TO-268
IXFV15N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 760 760 760 760 760 15 543 PLUS220




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019