Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
PH3120L N-channel TrenchMOS(tm) logic level FET NXP MOSFET
N 1 20 - - - 3 2.25 100 62.5 SOT-669
2N7002E N-Channel 60-V MOSFET Vishay MOSFET
N 1 60 - - - 1800 1200 0.24 0.35 SOT-23-3
STP4NK60ZFP N-channel 600 V - 1.76 ? - 4 A SuperMESH™ Power MOSFET TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 176 4 25 TO-220FP
PSMN3R2-30YLC N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по технологии NextPower NXP MOSFET
N 1 30 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 100 92 SOT-669
IRF5806 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 20 - - 147 86 - 4 2 TSOP-6
NTMFS4833N Power MOSFET 30 V, 191 A, Single N?Channel, SO?8 FL ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 2.3 1.3 26 2.35 SO-8 FL
FDP8874 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 4.5 3.6 114 110 TO-220AB
IRF6717 Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 25 - - - 1.6 0.95 38 2.8 DirectFET-MX
IRFPS30N60KPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 160 30 450 TO-274AA
STP16NF25 N-channel 250V - 0.195? - 13A - TO-220 low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 250 - - - - 195 13 90 TO-220
IXFP6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-220AB
IRL3714L HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 20 - - - 28 20 36 43 TO-262
NTB5412N Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 11.1 60 125 D2-PAK
FDP047N10 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 3.9 120 375 TO-220
DMP2012SN P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 - - - 230 - -0.7 0.5 SC-59
IRFBC30A HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 2200 3.6 74 TO-220AB
STB120NF10 N-channel 100V - 0.009? - 110A - D?PAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 9 110 312 D2-PAK
IXFT42N50P2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 145 145 145 145 145 42 830 TO-268
IRFP4310ZPBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - - 6 120 280 TO-247AC
STF30NM60ND N-channel 600 V, 0.11 ?, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET(with fast diode) TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 110 25 40 TO-220FP




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019