Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 420 421 422 423 424 425 426 427 428 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFX26N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 460 460 460 460 460 26 960 PLUS247
IXTK5N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 2500 8800 8800 8800 8800 8800 5 960 TO-264
IXFH52N50P2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 120 120 120 120 120 52 960 TO-247
IXFK26N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 460 460 460 460 460 26 960 TO-264
IXFK140N25T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 250 17 17 17 17 17 140 960 TO-264
IXFX140N25T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 250 17 17 17 17 17 140 960 PLUS247
IXTX90N25L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 250 33 33 33 33 33 90 960 PLUS247
IXTK90N25L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 250 33 33 33 33 33 90 960 TO-264
IXTK110N20L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 200 24 24 24 24 24 110 960 TO-264
IXTX110N20L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 200 24 24 24 24 24 110 960 PLUS247
IXFN100N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q3-Class IXYS MOSFET
 N 1 500 49 49 49 49 49 82 960 SOT-227 B
IXFK40N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 210 210 210 210 210 40 960 TO-264
IXFX40N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 210 210 210 210 210 40 960 PLUS247
IXFN82N60Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 75 75 74 75 75 66 960 SOT-227 B
IXFN80N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 70 70 70 70 70 66 960 SOT-227 B
IXFX30N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 360 360 360 360 360 30 960 PLUS247
IXFX32N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 300 300 300 300 300 32 960 PLUS247
IXFK30N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1100 360 360 360 360 360 30 960 TO-264
IXFK32N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 300 300 300 300 300 32 960 TO-264
IXFK120N30T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 300 24 24 24 24 24 120 960 TO-264
Страницы: предыдущая 1 ... 420 421 422 423 424 425 426 427 428 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники