Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRFI840G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 850 4.6 40 TO-220F
IXTH60N25 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 250 46 46 46 46 46 60 400 TO-247AD
NTD4856N Power MOSFET 25 V, 89 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 25 - - - 5.3 3.9 16.8 2.14 D-PAK
3 IPAK
I-PAK
IRFR210PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 1500 2.6 25 D-PAK
IXFH36N55Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 550 180 180 180 180 180 36 560 TO-247AD
IRLL110 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 100 - - - - 540 1.5 3.1 SOT-223-4
FDPF10N50FT N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 710 9 42 TO-220F
IRF1404S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 4 162 200 D2-PAK
STU150N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0024 ? , 80 A, IPAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - 3.9 2.9 80 110 I-PAK
STB4NK60Z N-channel 600 V - 1.76 ? - 4 A SuperMESH™ Power MOSFET D2PAK - I2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 176 4 70 D2-PAK
I2PAK
SUP28N15-52 N-Channel 150-V (D-S) 175°C MOSFET Vishay MOSFET
N 1 150 - - - - 42 28 120 TO-220
IXFV52N30PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 300 66 66 66 66 66 52 400 PLUS220SMD
STS9D8NH3LL Dual N-channel 30 V - 0.012 ? - 9 A - SO-8 low on-resistance STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 2 30 - - - 20 18 8 2 SOIC-8
FQPF8N90C 900V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 900 - - - - 1600 6.3 60 TO-220
IRFZ44NS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 17.5 49 110 D2-PAK
PSMN2R5-30YL N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 30 - - - - 1.79 100 88 SOT-669
STD8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ?,7 A MDmesh™ II Power MOSFET IPAK, DPAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 560 7 70 D-PAK
I-PAK
IRFBG20 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 1000 - - - - 11000 1.4 54 TO-220AB
Si4686DY N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 30 - - - 11 7.8 18.2 5.2 SOIC-8
IXTT26N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 230 230 230 230 230 26 400 TO-268




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019