Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXFN30N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 350 | 350 | 350 | 350 | 350 | 30 | 890 |
|
| STF110N10F7 | N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 110 А |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 7 | 45 | 30 |
|
| STB4NK60Z | N-channel 600 V - 1.76 ? - 4 A SuperMESH™ Power MOSFET D2PAK - I2PAK |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 176 | 4 | 70 |
D2-PAK |
| FDPF10N50FT | N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 710 | 9 | 42 |
TO-220F |
| IRF1404S | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 4 | 162 | 200 |
D2-PAK |
| IRLL110 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 540 | 1.5 | 3.1 |
SOT-223-4 |
| STU150N3LLH6 | N-channel 30 V, 0.0024 ? , 80 A, IPAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 3.9 | 2.9 | 80 | 110 |
|
| NTD4856N | Power MOSFET 25 V, 89 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 5.3 | 3.9 | 16.8 | 2.14 |
D-PAK |
| IXFH36N55Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 550 | 180 | 180 | 180 | 180 | 180 | 36 | 560 |
|
| IRFR210PBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 1500 | 2.6 | 25 |
D-PAK |
| SUP28N15-52 | N-Channel 150-V (D-S) 175°C MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 42 | 28 | 120 |
TO-220 |
| STD8NM60N | N-channel 600 V, 0.56 ?,7 A MDmesh™ II Power MOSFET IPAK, DPAK |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 560 | 7 | 70 |
D-PAK |
| FQPF8N90C | 900V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 1600 | 6.3 | 60 |
TO-220 |
| IRFZ44NS | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 17.5 | 49 | 110 |
D2-PAK |
| STS9D8NH3LL | Dual N-channel 30 V - 0.012 ? - 9 A - SO-8 low on-resistance STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 2 | 30 | - | - | - | 20 | 18 | 8 | 2 |
SOIC-8 |
| PSMN2R5-30YL | N-channel TrenchMOS logic level FET |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | - | 1.79 | 100 | 88 |
|
| IXFV52N30PS | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 66 | 66 | 66 | 66 | 66 | 52 | 400 |
|
| IRFBG20 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 11000 | 1.4 | 54 |
TO-220AB |
| Si4686DY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 11 | 7.8 | 18.2 | 5.2 |
SOIC-8 |
| STF21NM60ND | N-channel 600 V, 0.17 ?, 17 A FDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 170 | 17 | 30 |
|
