Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| NTMFS5C612NL | N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 60 В |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 2.3 | 1.5 | 235 | 167 |
|
| NVMFS5C612NL | N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 60 В |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 2.3 | 1.5 | 235 | 167 |
|
| STV240N75F3 | N-channel 75 V - 2.3 m? - 240 A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 2.3 | 240 | 300 |
|
| IRF1503 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | - | 3.3 | 240 | 330 |
TO-220AB |
| IRF3805S-7P | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 2.6 | 240 | 300 |
D2-PAK |
| IXFK240N15T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 240 | 1250 |
|
| IXFX240N15T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 240 | 1250 |
|
| IXFN240N15T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 240 | 830 |
SOT-227 |
| IRFS3107-7PPbF | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Pin package |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 2.1 | 240 | 370 |
D2-PAK-7 |
| IRFS3006-7PPbF | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Pin package |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.5 | 240 | 375 |
D2-PAK-7 |
| IXTQ240N055T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.6 | 3.6 | 3.6 | 3.6 | 3.6 | 240 | 480 |
|
| IXTH240N055T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.6 | 3.6 | 3.6 | 3.6 | 3.6 | 240 | 480 |
|
| FDBL0120N40 | N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 240 А |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 1.2 | 240 | 300 |
|
| IXTA240N055T7 | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.6 | 3.6 | 3.6 | 3.6 | 3.6 | 240 | 480 |
TO-263-7 |
| FDBL0090N40 | N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 240 А |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 0.9 | 240 | 357 |
|
| IXTP240N055T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.6 | 3.6 | 3.6 | 3.6 | 3.6 | 240 | 480 |
TO-220 |
| IXTA240N055T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 3.6 | 3.6 | 3.6 | 3.6 | 3.6 | 240 | 480 |
|
| FDMS86550ET60 | N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 60 В, 245 А |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.65 | 245 | 187 |
Power 56 |
| STV250N55F3 | N-channel 55 V - 1.5 m? - 250 A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 1.5 | 250 | 300 |
|
| IXTV250N075TS | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 250 | 550 |
|
