Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 420 421 422 423 424 425 426 427 428 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFA6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-263
IXFP6N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 2750 2750 2750 2750 2750 6 250 TO-220AB
IXFA5N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 2800 2800 2800 2800 2800 5 250 TO-263
IXFP5N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 2800 2800 2800 2800 2800 5 250 TO-220
IXFH5N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 2800 2800 2800 2800 2800 5 250 TO-247
IXTY3N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2900 2900 2900 2900 2900 3 70 TO-252
IXTA3N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2900 2900 2900 2900 2900 3 70 TO-263
IXTP3N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2900 2900 2900 2900 2900 3 70 TO-220
BSP122 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
 N 1 200 - - 3000 - 1700 550 1.5 SOT-223-4
IXFT4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-268
IXFH4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-247AD
IXFP4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-263
IXFA4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-220
IXFR4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 3.5 80 ISOPLUS247
IXFP4N100QM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 2.2 46 TO-220-3 ISO
SiA850DJ N-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V Diode Vishay MOSFET
 N 1 190 3500 - 3200 3000 - 0.95 7 PowerPAK SC70-6
IXFP4N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 4 150 TO-220
IXFA4N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 4 150 TO-263
IXFP4N100PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 2.5 57 TO-220-3 ISO
IXTA4N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 3400 3400 3400 3400 3400 3.6 100 TO-263
Страницы: предыдущая 1 ... 420 421 422 423 424 425 426 427 428 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники