Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| NTP2955 | Power MOSFET ?60 V, ?12 A, Single P?Channel, TO?220 |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 156 | -12 | 62.5 |
TO-220 |
| ZXM64P035L3 | 35V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -35 | - | - | - | 105 | 75 | -12 | 20 |
TO-220 |
| ZXMP3F35N8 | 30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 18 | 12 | -12.3 | 1.56 |
SOIC-8 |
| IXTR20P50P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 490 | 490 | 490 | 490 | 490 | -13 | 190 |
|
| DMP3015LSS | SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
Diodes Incorporated |
MOSFET |
P | 1 | -20 | - | - | - | 14 | 9 | -13 | 2.5 |
|
| FDMC86139P | P-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток -100 В, выполненный по технологии PowerTrench® |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -100 | - | - | - | - | 67 | -15 | 40 |
|
| IXTY15P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 240 | 240 | 240 | 240 | 240 | -15 | 150 |
TO-252 |
| IXTP15P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 240 | 240 | 240 | 240 | 240 | -15 | 150 |
TO-220AB |
| IXTA15P15T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -150 | 240 | 240 | 240 | 240 | 240 | -15 | 150 |
|
| FQP15P12 | 120V P-Channel QFET® |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -120 | - | - | - | - | 200 | -15 | 100 |
TO-220 |
| FQPF15P12 | 120V P-Channel QFET® |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -120 | - | - | - | - | 200 | -15 | 41 |
TO-220F |
| NTD20P06L | Power MOSFET ?60 V, ?15.5 A, Single P?Channel, DPAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -60 | - | - | - | - | 11000 | -15.5 | 65 |
D-PAK |
| IXTT16P60P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -600 | 720 | 720 | 720 | 720 | 720 | -16 | 460 |
|
| IXTH16P60P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -600 | 720 | 720 | 720 | 720 | 720 | -16 | 460 |
|
| IXTH16P20 | Standard Power MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 160 | 160 | 160 | 160 | 160 | -16 | 300 |
|
| TSM4459CS | P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -17 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 9.5 | 5.2 | -17 | 2.5 |
|
| IXTP18P10T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -100 | 120 | 120 | 120 | 120 | 120 | -18 | 83 |
TO-220 |
| IXTA18P10T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -100 | 120 | 120 | 120 | 120 | 120 | -18 | 83 |
|
| IXTR32P60P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -600 | 385 | 385 | 385 | 385 | 385 | -18 | 310 |
|
| IXTY18P10T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -100 | 120 | 120 | 120 | 120 | 120 | -18 | 83 |
TO-252 |
