Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRLB4030PbF 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - 3.6 3.4 180 370 TO-220AB
STP12NM60N N-channel 600V - 0.35? - 10A - TO-220 Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 350 10 90 TO-220
NTD4805N Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 6 4.3 16 2.24 D-PAK
3 IPAK
I-PAK
IRFIBF20G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 900 - - - - 8000 1.2 30 TO-220F
IRFU2407 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 75 - - - - 26 42 110 I-PAK
DMN66D0LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 3000 0.115 0.2 SOT-323
STB160N75F3 N-channel 75V - 3.5m? - 120A - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 75 - - - - 3.2 120 330 D2-PAK
IRF530PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 100 - - - - 160 14 88 TO-220AB
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019