Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STF11NM60N N-channel 600 V - 0.37 ? - 10 A - TO-220FP second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 370 10 25 TO-220FP
Si6925ADQ Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 20 - - 50 35 - 3.3 0.8 TSSOP-8
FDP8896 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 6 5 92 80 TO-220AB
IRF9510PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 100 - - - - 1200 4 43 TO-220AB
IRLS4030PbF 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - 3.4 3.6 180 370 D2-PAK
STW12NM60N N-channel 600V - 0.35? - 10A - TO-247 Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 350 10 90 TO-247
NTD4806N Power MOSFET 30 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 7.9 4.9 14 2.14 D-PAK
3 IPAK
I-PAK
IRLU7807ZCPBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 18.2 13.8 43 40 I-PAK
FQPF3N80C 800V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 4000 3 39 TO-220F
FDS8874 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 5.6 4.9 16 2.5 SOIC-8
IXFV110N10PS PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISSI MOSFET
N 1 100 - - - - 15 110 480 PLUS220SMD
STP2NK60Z N-CHANNEL 600V - 7.2? - 1.4A TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 7200 1.4 45 TO-220
IRF7607 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 20 - - 45 30 - 6.5 1.8 Micro 8
Si9933BDY Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 20 - - 8 48 - 3.6 1.1 SOIC-8
SPD07N20-G SIPMOS™ Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 200 - - - - 300 7 40 TO-252
TSM8N50CP N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 7.2 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 850 7.2 89 TO-252
STP30NM60ND N-channel 600 V, 0.11 ?, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET(with fast diode) TO-220 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 110 25 190 TO-220
Si4688DY N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 30 - - - 12 9 8.9 1.4 SOIC-8
FQT4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 1100 0.85 2.2 SOT-223-4
STL60N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 12 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 16.5 12 5 PowerFLAT




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019