Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| SUM55P06-19L | P-Channel 60-V (D-S) 175°C MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 60 | - | - | - | 20 | 15 | 55 | 125 |
D2-PAK |
| TK2P60D | N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) |
|
Toshiba |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 4300 | 2 | 60 |
|
| STH310N10F7-6 | N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 2.3 | 180 | 315 |
|
| SiR888DP | N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 3.1 | 2.5 | 40 | 48 |
PowerPAK_SO-8 |
| STB21NM60ND | N-channel 600 V, 0.17 ?, 17 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 170 | 17 | 140 |
D2-PAK |
| FQP65N06 | 60V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 12 | 65 | 150 |
TO-220 |
| STI12NM50N | N-channel 500 V, 0.29 ?, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET I2PAK |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 290 | 11 | 100 |
|
| HUFA75645P3 | N-Channel, UltraFET Power MOSFETs |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 11.5 | 75 | 310 |
TO-220AB |
| NCV8405 | Защищенные MOSFET-транзисторы для управления вторичными цепями |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 42 | - | - | - | - | 90 | 6 | 11.4 |
SOT-223-4 |
| IRF2805 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 4.7 | 175 | 330 |
TO-220AB |
| PH20100S | N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 19 | 34.3 | 62.5 |
|
| STW56N65M2 | N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 49 А |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 62 | 49 | 358 |
|
| PHP63NQ03LT | TrenchMOS (tm) logic level FET |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 15 | 11 | 68.9 | 111 |
TO-220AB |
| Si7308DN | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 59 | 46 | 3.2 | 2.4 |
PowerPAK_1212-8 |
| NTP18N06 | Power MOSFET 15 A, 60 V, N?Channel TO-220 |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 76 | 15 | 48.4 |
TO-220 |
| IPP60R099C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 90 | 37.9 | 278 |
TO-220 |
| IRFTS8342TRPBF | Однокристальный n-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 29 | 19 | 8.2 | 2 |
|
| IRF7311 | HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 2 | 20 | - | - | 46 | 29 | - | 6.6 | 2 |
SOIC-8 |
| STP11NM60N | N-channel 600 V - 0.37 ? - 10 A - TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 370 | 10 | 90 |
TO-220 |
| HUF75545S3S | N-Channel, UltraFET Power MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 8.2 | 75 | 270 |
|
