Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
2N7002K Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N?Channel, SOT?23 ON Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 1330 1190 0.32 0.3 SOT-23-3
NTZD5110N Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Dual N?Channel with ESD Protection, SOT?563 ON Semiconductor MOSFET
 N 2 60 - - - 1330 1190 0.294 0.25 SOT-563
IXTH12N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1300 1300 1300 1300 1300 12 400 TO-247
IXFT10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-268
IXFR15N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 400 ISOPLUS247
IXFM10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-204AA
IXFH10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-247AD
FDY2000PZ -20V Dual P-Channel Specified PowerTrench® MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 P 2 -20 2700 1600 - 1200 - -0.35 0.625 SOT-563
IXTT8P50 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1200 1200 1200 1200 1200 -8 180 TO-268
IXTH8P50 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1200 1200 1200 1200 1200 -8 180 TO-247
FQPF5N50C 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 500 - - - 1140 - 5 38 TO-220F
FQP5N50C 500V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 500 - - - 1140 - 5 73 TO-220
IXFR12N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1100 1100 1100 1100 1100 10 250 ISOPLUS247
IXFR14N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 1100 1100 1100 1100 1100 9.5 200 ISOPLUS247
IXFH9N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1100 1100 1100 1100 1100 9 180 TO-247AD
IXFH8N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1100 1100 1100 1100 1100 8 180 TO-247AD
2N7002E Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N?Channel, SOT?23 ON Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 1100 860 0.26 0.3 SOT-23-3
PMZ760SN N-channel TrenchMOS standard level FET NXP MOSFET
 N 1 60 - - - 1100 760 1.22 2.5 SOT-883
PMR780SN N-channel uTrenchmos (tm) standard level FET NXP MOSFET
 N 1 60 - - - 1100 780 0.55 0.53 SC75A
PMF780SN N-channel uTrenchmos (tm) standard level FET NXP MOSFET
 N 1 60 - - - 1100 780 0.57 0.56 SOT-323
Страницы: предыдущая 1 ... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники