Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTC75N10 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 100 20 20 20 20 20 72 230 ISOPLUS220
FCU2250N80Z N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 800 В, 2.6 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 0.00225 2.6 39 I-PAK
IRF3315L HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 150 - - - - 82 21 94 TO-262
IXFH96N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 200 24 24 24 24 24 96 600 TO-247
SUD40N08-16 N-Channel 80-V (D-S) 175°C MOSFET Vishay MOSFET
N 1 80 - - - - 13 40 136 D-PAK
IPA60R600C6 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 600 - - - - 540 7.3 28 TO-220F
STD3NK50Z N-CHANNEL 500V - 2.8? - 2.3A DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 2800 2.3 45 D-PAK
I-PAK
NTR1P02T1 Power MOSFET ?20 V, ?1 A, P?Channel SOT?23 Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - - 235 148 -1 0.4 SOT-23-3
IPD50R950CE 500В силовой транзистор серии CoolMOS™ CE Infineon Technologies MOSFET
N 1 500 - - - - 950 12.8 34 TO-252
FQP10N60C 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 600 9.5 156 TO-220
IRFZ48RS HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 60 - - - - 18 50 190 D2-PAK
ZVP2106G SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
P 1 -60 - - - - 5000 -0.45 2 SOT-223-4
STP19NF20 N-channel 200V - 0.15? - 15A - TO-220 MESH OVERLAY™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 150 15 90 TO-220
NTA4001N Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 ON Semiconductor MOSFET
N 1 20 - - - 1500 - 0.238 0.3 SC75
IXFK420N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 420 1670 TO-264
IRLR014N HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - 210 140 10 28 D-PAK
FDD8782 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 25 - - - 11 8.5 35 50 D-PAK
IRFD220 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 800 0.8 1 HEXDIP
DMN3033LSN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 36 25 6 1.4 SC-59
STB85NF55 N-CHANNEL 55V - 0.0062? - 80A - D2PAK STripFET™ II POWER MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 55 - - - - 6.2 80 300 D2-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019