Главная > Документация > Дискретные компоненты > Транзисторы

Компоненты группы MOSFET транзисторы

Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
V_DS (В)
R_DS(ON) 1.8 В (мОм)
R_DS(ON) 2,5 В (мОм)
R_DS(ON) 2,7 В (мОм)
R_DS(ON) 4.5 В (мОм)
R_DS(ON) 10 В (мОм)
I_D (А)
P_D (Вт)
Корпус

Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 431 следующая

Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	Полярность	Каналов шт	V_DS В	R_DS(ON) 1.8 В мОм	R_DS(ON) 2,5 В мОм	R_DS(ON) 2,7 В мОм	R_DS(ON) 4.5 В мОм	R_DS(ON) 10 В мОм	I_D А	P_D Вт	Корпус

PMZ760SN	N-channel TrenchMOS standard level FET		NXP	MOSFET Транзисторы	N	1	60	-	-	-	1100	760	1.22	2.5	SOT-883
IXFQ10N80P	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-3P
IXTP7N60P	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	600	1100	1100	1100	1100	1100	7	150	TO-220
IXFP10N80P	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-220
IXTA7N60P	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	600	1100	1100	1100	1100	1100	7	150	TO-263
IXFH10N80P	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-247
IXFA10N80P	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-263
IXTP7N60PM	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	600	1100	1100	1100	1100	1100	4	41	TO-220-3 ISO
IXFH10N90	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	900	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-247AD
IXFM10N90	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	900	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-204AA
IXTP6N50P	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	500	1100	1100	1100	1100	1100	6	100	TO-220
IXTA6N50P	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	500	1100	1100	1100	1100	1100	6	100	TO-263
SiA456DJ	N-Channel 200-V (D-S) MOSFET		Vishay	MOSFET	N	1	200	1200	-	1120	1080	-	2.6	19	PowerPAK SC70-6
IXFT12N100Q	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	12	300	TO-268
IXFH12N100P	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	12	463	TO-247
IXFH12N100Q	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	12	300	TO-247AD
IXFT12N100	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	12	300	TO-268
IXFT15N100Q3	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	15	690	TO-268
IXFH15N100Q3	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	15	690	TO-247
IXTM12N100	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	12	300	TO-204AA

Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 431 следующая

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск