IXFR12N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFR12N100Q, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 1000
RDS(ON) 1.8 В,мОм 1100
RDS(ON) 2,7 В,мОм 1100
RDS(ON) 2,5 В,мОм 1100
RDS(ON) 4.5 В,мОм 1100
RDS(ON) 10 В,мОм 1100
ID 10
PD,Вт 250
Корпус ISOPLUS247

Общее описание

Datasheet
 
IXFR1xN100Q (154.9 Кб), 17.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFR1xN100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) (154.9 Кб), 17.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 382
Дата публикации: 17.01.2012 07:46
Дата редактирования: 17.01.2012 07:47


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019