Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
TN0106 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 2000 | 1600 | 2 | 1 |
TO-92 |
|
IXTU4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 4 | 89 |
|
|
2N7002E | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 2000 | 1600 | 0.24 | 0.3 |
SOT-23-3 |
|
IXTH12N140 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1400 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 12 | 890 |
|
|
IXFP7N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 7 | 300 |
TO-220 |
|
IXFA7N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 7 | 300 |
|
|
IXFH7N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 7 | 300 |
|
|
IXFT6N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 6 | 180 |
|
|
IXFH6N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 1900 | 6 | 180 |
|
|
IXTM6N90 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 6 | 180 |
|
|
BS270 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1800 | 1200 | 0.4 | 0.625 |
TO-92 |
|
IXTH6N90 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 6 | 180 |
|
|
2N7000 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1800 | 1200 | 0.2 | 0.4 |
TO-92 |
|
IXFM6N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 6 | 180 |
|
|
IXFH6N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 1800 | 6 | 180 |
|
|
2N7002E | N-Channel 60-V MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1800 | 1200 | 0.24 | 0.35 |
SOT-23-3 |
|
IXTP5N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 1700 | 1700 | 1700 | 1700 | 1700 | 5 | 100 |
TO-220 |
|
IXTA5N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 1700 | 1700 | 1700 | 1700 | 1700 | 5 | 100 |
|
|
IXTP05N100M | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 17000 | 17000 | 1700 | 1700 | 17000 | 0.7 | 25 |
|
|
2N7002DW | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 60 | - | - | - | 1600 | 2530 | 0.115 | 0.2 |
SC70-6 |