Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
TN0106 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
N 1 60 - - - 2000 1600 2 1 TO-92
IXTU4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 2000 2000 2000 2000 2000 4 89 TO-251
2N7002E N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - 2000 1600 0.24 0.3 SOT-23-3
IXTH12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-247
IXFP7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-220
IXFA7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-263
IXFH7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-247
IXFT6N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 6 180 TO-268
IXFH6N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 6 180 TO-247AD
IXTM6N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-204AA
BS270 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 1800 1200 0.4 0.625 TO-92
IXTH6N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-247
2N7000 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 1800 1200 0.2 0.4 TO-92
IXFM6N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-204AA
IXFH6N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-247AD
2N7002E N-Channel 60-V MOSFET Vishay MOSFET
N 1 60 - - - 1800 1200 0.24 0.35 SOT-23-3
IXTP5N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 1700 1700 1700 1700 1700 5 100 TO-220
IXTA5N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 1700 1700 1700 1700 1700 5 100 TO-263
IXTP05N100M Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 1700 1700 17000 0.7 25 TO-220-3 ISO
2N7002DW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
N 2 60 - - - 1600 2530 0.115 0.2 SC70-6
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019