Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IRFR320PBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 1800 | 3.1 | 42 |
D-PAK |
| Si3440DV | N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 310 | 1.2 | 1.14 |
|
| STB9NK60ZD | N-channel 600 V - 0.85 ? - 7 A - D2PAK SuperFREDMesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 850 | 7 | 125 |
D2-PAK |
| FQI19N20C | 200V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 140 | 19 | 139 |
|
| TK100F06K3 | Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 60 В |
|
Toshiba |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 4 | 100 | 180 |
|
| IRFZ44ZS | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 13.9 | 51 | 80 |
D2-PAK |
| ZXMN3F30FH | 30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 65 | 47 | 4.6 | 1.4 |
SOT-23-3 |
| IPI024N06N3G | OptiMOS™ 3 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.1 | 120 | 250 |
TO-262 |
| IXFN170N30P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 138 | 890 |
|
| IRFD110PBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 540 | 1 | 1.3 |
HEXDIP |
| Si4890BDY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 12 | 9 | 16 | 5.7 |
SOIC-8 |
| STW23NM60ND | N-channel 600 V - 0.150 ? - 20 A - TO-247 FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 150 | 20 | 150 |
|
| HUF75842S3S | N-Channel, UltraFET Power MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 35 | 43 | 230 |
|
| IXTQ50N25T | N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 50 | 400 |
|
| IRFI520N | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 200 | 7.6 | 27 |
TO-220 |
| PMV213SN | N-канальный uTrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 213 | 1.9 | 2 |
SOT-23-3 |
| TN0104N3-G | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
|
Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 1500 | 2.6 | 1 |
TO-92 |
| IXTQ36N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 170 | 170 | 170 | 170 | 170 | 36 | 540 |
|
| STP5NB100 | N-CHANNEL 1000V - 2.4W - 5A TO-220 PowerMesh™ MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 2400 | 5 | 135 |
TO-220 |
| FQB6N40C | 400V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 830 | 6 | 73 |
D2-PAK |
