Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTH12N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-247AD
IXFM12N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-204AA
IXFV12N100PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 463 PLUS220SMD
IXFH12N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-247AD
IXFV12N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 463 PLUS220
IXFR16N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 1040 1040 1040 1040 1040 9 230 ISOPLUS247
IRLML5103 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 P 1 30 - - - 1000 600 0.76 0.54 SOT-23-3
IXTQ10P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-3P
IXTP10P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-220
IXTH10P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-247
IXTX20N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 1000 1000 1000 1000 1000 20 1250 PLUS247
FQPF8N60C 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - 1000 - 7.5 48 TO-220F
IXTK20N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 1000 1000 1000 1000 1000 20 1250 TO-264
IXTH10P60 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -600 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-247AD
FQP8N60C 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - 1000 - 7.5 147 TO-220
MMBF2201NT1 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 ON Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 1000 750 0.3 0.15 SC70
MMBF0201NLT1 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N?Channel SOT?23 ON Semiconductor MOSFET
 N 1 20 - - - 1000 750 0.3 0.225 SOT-23-3
IXTT10P60 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 N 1 -600 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-268
IXFM11N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 950 950 950 950 950 11 300 TO-204AA
IXFH11N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 950 950 950 950 950 11 300 TO-247AD
Страницы: предыдущая 1 ... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники