Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
2N7002VA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 2 60 - - - 1600 - 0.28 0.25 SOT - 563F
2N7002V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 2 60 - - - 1600 - 0.28 0.25 SOT - 563F
2N7002W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 1600 2530 0.115 0.2 SOT-323
NDC7002N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 50 - - - 1600 - 0.51 0.96 SSOT-6
FDA8440 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 40 - - - 1560 1460 30 306 TO-3PN
NTA4001N Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 ON Semiconductor MOSFET
 N 1 20 - - - 1500 - 0.238 0.3 SC75
IXTH10N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1500 1500 1500 1500 1500 10 695 TO-247
IXTT10N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1500 1500 1500 1500 1500 10 695 TO-268
TN2510 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
 N 1 100 - - - 1500 1000 6 1.6 SOT-89
IXTP3N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 1500 1500 1500 1500 1500 3 125 TO-220AB
NTK3043N Power MOSFET 20 V, 285 mA, N?Channel with ESD Protection, SOT?723 ON Semiconductor MOSFET
 N 1 20 5100 - - 1500 - 0.255 0.44 SOT-723
IXTA3N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 1500 1500 1500 1500 1500 3 125 TO-263
IXFH7N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 1500 1500 1500 1500 1500 7 180 TO-247AD
IXFT7N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 1500 1500 1500 1500 1500 7 180 TO-268
IXFM7N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 180 TO-204AA
IXFH7N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 180 TO-247AD
IXFP7N80PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 3.5 50 TO-220
IXFI7N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 200 TO-220
IXFP7N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 200 TO-220
IXFA7N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 200 TO-263
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники