Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFV10N100PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 PLUS220
IXTM6N90A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 1400 1400 1400 1400 1400 6 180 TO-204AA
IXFV10N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 PLUS220SMD
IXFH10N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 TO-247
IXTH6N90A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 1400 1400 1400 1400 1400 6 180 TO-247
Si1330EDL N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 60 - - - 1400 1000 0.24 0.28 SC70-3
FDW2501NZ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 2 20 - - - 1400 - 5.5 1 TSSOP-8
IXTT10N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 400 TO-268
IXTH10N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 400 TO-247
IXTH6N80A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 1400 1400 1400 1400 1400 6 180 TO-247AD
IXFH12N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 1400 1400 1400 1400 1400 12 543 TO-247
IXTH12N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 1400 1400 1400 1400 1400 12 500 TO-247AD
IXTU5N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 1400 1400 1400 1400 1400 5 89 TO-251
NTA7002N Small Signal MOSFET 30 V, 154 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 ON Semiconductor MOSFET
 N 1 300 242 - - 1400 - 0.154 0.3 SC75
IXTY5N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 1400 1400 1400 1400 1400 5 89 TO-252
IXTP5N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 1400 1400 1400 1400 1400 5 89 TO-220
IXTA5N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 1400 1400 1400 1400 1400 5 89 TO-263
IXFV12N120PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 1350 1350 1350 1350 1350 12 543 PLUS220SMD
IXFV12N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 1350 1350 1350 1350 1350 12 543 PLUS220
2N7002W Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N?Channel, SC?70 ON Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 1330 1190 0.31 0.28 SC70
Страницы: предыдущая 1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники