Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFP180N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 6 6 6 6 6 180 480 TO-220AB
IXTP180N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 6.4 6.4 6.4 6.4 6.4 180 480 TO-220
IXTA180N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 100 6.4 6.4 6.4 6.4 6.4 180 480 TO-263
STP240N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 3.2 180 - TO-220
STP315N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А, автомобильный диапазон STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.7 180 - TO-220
IXFX180N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 70 6 6 6 6 6 180 560 PLUS247
IXTK180N15P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 150 10 10 10 10 10 180 800 TO-264
IXTQ180N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 180 430 TO-3P
IXFK180N07 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 70 6 6 6 6 6 180 560 TO-264
IXTH180N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 180 430 TO-247
IXTA180N085T7 N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 180 430 TO-263-7
IRFSL4010PbF 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 100 - - - - 3.9 180 375 TO-262
IXTP180N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 180 430 TO-220
IRFS4010PbF 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 100 - - - - 3.9 180 375 D2-PAK
IRF6715M HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 25 - - - 2.7 1.6 180 78 DirectFET-MX
IXTA180N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 180 430 TO-263
IRFSL4010PbF 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 100 - - - - 3.9 180 375 TO-262
IRFS4010PbF 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 100 - - - - 3.9 180 375 D2-PAK
IPB036N12N3 Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 120 В, 180 А, 3.6 мОм Infineon Technologies MOSFET
 N 1 120 - - - - 3.6 180 300 D2-PAK-7
IRL3716S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 20 - - - 4.8 4 180 210 D2-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники