Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFH11N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 950 950 950 950 950 11 300 TO-247AD
Si1905BDH Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 2 8 950 - 655 450 - 0.63 0.357 SC70-6
IXFH16N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 950 950 950 950 950 16 660 TO-247
IXFT16N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 950 950 950 950 950 16 660 TO-268
IXFH14N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
N 1 1000 950 950 950 950 950 14 500 TO-247
IXFC12N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 930 930 930 930 930 7 120 ISOPLUS220
IXTH13N110 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1100 920 920 920 920 920 13 360 TO-247AD
IXTM12N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 900 900 900 900 900 900 12 300 TO-204AA
IXTH12N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 900 900 900 900 900 900 12 300 TO-247
IXFH9N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 900 900 900 900 900 9 180 TO-247AD
IXFV12N90PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 900 900 900 900 900 12 380 PLUS220SMD
IXFH12N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 900 900 900 900 900 12 380 TO-247
IXFV12N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 900 900 900 900 900 12 380 PLUS220
TK5P60W Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, технология DTMOS-IV Toshiba MOSFET
N 1 600 900 900 900 900 900 5.4 60 D-PAK
IXFT12N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 900 900 900 900 900 12 300 TO-268
TK5A60W Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, технология DTMOS-IV Toshiba MOSFET
N 1 600 900 900 900 900 900 5.4 30 TO-220SIS
IXFH12N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 900 900 900 900 900 12 300 TO-247AD
IXFH12N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 900 900 900 900 900 12 300 TO-247AD
IXFM12N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 900 900 900 900 900 12 300 TO-204AA
IXTN17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 SOT-227 B
Страницы: предыдущая 1 ... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019