Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
TSM3455CX6 P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -3.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -30 - - - 170 100 -3.5 2 SOT-26
IRFTS9342TRPBF Однокристальный p-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 -30 - - - 66 40 -5.8 2 TSOP-6
DMP3120L P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -30 - - - 120 - -2.8 1.4 SOT-23-3
DMP3100L P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -30 - - - 147 86 -2.7 1.08 SOT-23-3
SQJ941EP Automotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET Vishay MOSFET
P 2 -30 - - - 39 24 -8 55 PowerPAK_SO-8
DMP3098LSS SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -30 - - - 98 56 -5.3 2.5 SOP-8L
TSM3401CX P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -30 - - - 90 60 -3 1.25 SOT-23-3
DMP3098LSD DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -30 - - - 98 56 -4.4 1.8 SOP-8L
TSM2323CX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -4.7 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 68 52 - 39 - 4.7 1.25 SOT-23-3
DMP2004WK P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 1700 - - 700 - -0.4 0.25 SOT-323
NTR1P02T1 Power MOSFET ?20 V, ?1 A, P?Channel SOT?23 Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - - 235 148 -1 0.4 SOT-23-3
TSM2313CX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -3.3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 130 90 - 70 - -3.3 2 SOT-23-3
DMP2004VK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -20 1700 - - 700 - -0.53 0.4 SOT-563
NTR1P02LT1 Power MOSFET ?20 V, ?1.3 A, P?Channel SOT?23 Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - - 135 - -1.3 0.4 SOT-23-3
NTE4151P Small Signal MOSFET ?20 V, ?760 mA, Single P?Channel, Gate Zener, SC?89 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 490 - - 260 - -760 301 SC?89
TSTSM2311CX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -4 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - 85 - 55 - -4 0.9 SOT-23-3
DMP2004TK P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.15 SOT-523
NTHS4101P Power MOSFET ?20 V, 6.7 A, P?Channel ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 42 - - 21 - -4.8 1.3 ChipFET_1206-8
NTR0202PL Power MOSFET ?20 V, ?400 mA, P?Channel SOT?23 Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - - 800 550 -0.4 0.225 SOT-23-3
NTA4151P Small Signal MOSFET ?20 V, ?760 mA, Single P?Channel, Gate Zener, SC?75 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 490 - - 260 - -760 301 SC75
Страницы: предыдущая 1 ... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019