Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
DMP2160U P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 92 - - 60 - -3.2 1.4 SOT-23-3
TSM2307CX P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -30 - - - 140 95 -3 1.25 SOT-23-3
NTHD5903 Power MOSFET ?20 V, ?3.0 A, Dual P?Channel ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 - - - 130 - -3 2.1 ChipFET_1206-8
CSD75204W15 Сдвоенный P-канальный силовой MOSFET NexFET™ с общим истоком Texas Instruments MOSFET
P 2 -20 140 - - 80 - -3 0.7 DSBGA-9
ZXMP6A17E6 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
P 1 -60 - - - 190 125 -3 1.1 SOT-23-6
NTGS3441B Power MOSFET -20 V, -3.5 A, Single P-Channel, TSOP-6 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - - 59 - -3 1.1 TSOP-6
DMP2130L P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 - - 87 51 - -3 1.4 SOT-23-3
DMP2123L P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 - - 87 51 - -3 1.4 SOT-23-3
TSM3401CX P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -30 - - - 90 60 -3 1.25 SOT-23-3
NTHD4102P Power MOSFET ?20 V, ?4.1 A, Dual P?Channel ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 120 - - 64 - -2.9 1.1 ChipFET_1206-8
TSM2301CX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -2.8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - 190 - 130 - -2.8 0.9 SOT-23-3
TSM2301BCX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -2.8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 190 150 - 100 - -2.8 0.9 SOT-23-3
TSM2301ACX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -2.8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - 190 - 130 - -2.8 0.7 SOT-23-3
DMP3120L P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -30 - - - 120 - -2.8 1.4 SOT-23-3
DMP2215L P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 - - - 80 - -2.7 1.08 SOT-23-3
NTJS3151P Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P?Channel, ESD Protected SC?88 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -12 133 - - 45 - -2.7 0.625 SC-88
DMP3160L P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -30 - - - 165 97 -2.7 1.08 SOT-23-3
DMP3100L P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -30 - - - 147 86 -2.7 1.08 SOT-23-3
DMP2225L P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 - - - 80 - -2.6 1.08 SOT-23-3
NTF2955 Power MOSFET ?60 V, ?2.6 A, Single P?Channel SOT?223 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -60 - - - - 145 -2.6 2.3 SOT-223-4
Страницы: предыдущая 1 ... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019