IXTH12N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

 

Блок-схема

IXTH12N100L, N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 1000
RDS(ON) 1.8 В,мОм 1300
RDS(ON) 2,7 В,мОм 1300
RDS(ON) 2,5 В,мОм 1300
RDS(ON) 4.5 В,мОм 1300
RDS(ON) 10 В,мОм 1300
ID 12
PD,Вт 400
Корпус TO-247

Общее описание

Datasheet
 
IXTH12N100L (85.3 Кб), 19.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTH12N100L Linear Power MOSFET With Extended FBSOA (85.3 Кб), 19.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 580 Дата публикации: 19.02.2009 22:38
Дата редактирования: 23.01.2012 09:54


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019