Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
NGTB40N120IHR IGBT-транзистор для индукционных нагревателей, 1200 В, 40А ON Semiconductor IGBT
 1200 40 100 2.55 230 120 245 180 0.95 2.1 192 Да -55 ... 175 TO-247
NGTB30N120IHR IGBT-транзистор для индукционных нагревателей, 1200 В, 30А ON Semiconductor IGBT
 1200 30 100 2.5 230 133 250 210 0.7 1.55 192 Да -55 ... 175 TO-247
IXEH25N120D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 36А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
 1200 24 90 2.6 205 105 320 175 4.1 1.5 200 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXEH25N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 36А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
 1200 24 90 2.6 205 105 320 175 4.1 1.5 200 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXER20N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 36А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
 1200 19 90 2.4 205 105 320 75 4.1 1.5 130 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXER20N120D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 36А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
 1200 19 90 2.4 205 105 320 75 4.1 1.5 130 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXBH40N160 Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 33А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 20 90 6.2 200 60 270 40 - - 350 Да -55 ... 150 TO-247
IXBF40N160 Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 28А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 16 90 6.2 200 60 300 40 - - 250 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
NGTB20N120IHWG IGBT-транзистор, 1200 В, 20А ON Semiconductor IGBT
 1200 20 100 2.65 170 155 185 210 0.48 0.92 170 Да -55 ... 175 TO-247
NGTB15N135IHR IGBT-транзистор для индукционных нагревателей, 1350 В, 15А ON Semiconductor IGBT
 1350 15 100 2.65 170 200 190 290 0.42 0.95 178 Да -55 ... 175 TO-247
NGTB15N120IHR IGBT-транзистор для индукционных нагревателей, 1200 В, 15А ON Semiconductor IGBT
 1200 15 100 2.5 170 177 190 255 0.34 0.74 166 Да -55 ... 175 TO-247
NGTB15N120IHLWG IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора 15 А, выполненный по технологии FieldStop 1, для индукционных нагревателей ON Semiconductor IGBT
 1200 15 100 2.2 165 200 180 260 0.56 0.95 156 Да -55 ... 150 TO-247
IXEL40N400 IGBT-транзистор высокого напряжения, 4000 В, 40А IXYS IGBT
 4000 40 90 2.5 155 105 715 455 85 205 380 Нет -40 ... 125 ISOPLUS_i5
NGTB45N60S2WG IGBT-транзистор на 600 В, 45 А ON Semiconductor IGBT
 600 45 100 2 151 55 154 78 0.36 0.69 150 Да -55 ... 175 TO-247
NGTB30N65IHL2WG IGBT-транзистор, 650 В, 30А ON Semiconductor IGBT
 650 30 100 2.2 145 71 151 94 0.2 0.41 150 Да -55 ... 175 TO-247
IXSN55N120A IGBT-транзистор, 1200 В, 110А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 55 90 4 140 250 600 900 6 25 500 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXBH9N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 9А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 5 90 4.9 140 200 120 70 - - 100 Да -55 ... 150 TO-247
IXBF9N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 4 90 4.9 140 200 120 70 - - 70 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXBP5N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 5.7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 3.5 90 4.9 140 200 120 70 - - 68 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXBH5N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 5.7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 3.5 90 4.9 140 200 120 70 - - 68 Да -55 ... 150 TO-247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники