Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGT6N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 12А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 6 90 3 45 40 300 300 0.5 2 75 Нет -55 ... 150 TO-268
IXBK75N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 75А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 75 110 2.6 47 230 260 580 - - 1040 Да -55 ... 150 TO-264
IXGH6N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 12А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 6 90 3 45 40 300 300 0.5 2 75 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH10N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 10А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 5 90 4.5 48 59 200 40 1.2 0.6 140 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXBX75N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 75А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 75 110 2.6 47 230 260 580 - - 1040 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGT10N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 10А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 5 90 4.5 48 59 200 40 1.2 0.6 140 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGX100N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 100А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 100 90 2.5 35 250 285 435 - - 830 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXBN75N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 75А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 75 90 2.6 47 230 260 580 - - 625 Да -55 ... 150 TO-247
IXGT6N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 6А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 3 110 7 48 43 230 41 0.62 0.25 75 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGK100N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 100А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 100 90 2.5 35 250 285 435 - - 830 Нет -55 ... 150 TO-264
IXBK75N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 65А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 65 90 4.95 27 38 420 175 - 6.35 1040 Да -55 ... 150 TO-264
IXGN100N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 95А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 95 90 2.5 35 250 285 435 - - 735 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXBX75N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 65А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 65 90 4.95 27 38 420 175 - 6.35 1040 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGH6N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 6А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 3 110 7 48 43 230 41 0.62 0.25 75 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH32N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 75А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 32 90 2.5 48 42 360 560 6 14 350 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXBH42N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 42А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 42 90 2.8 36 188 330 740 - - 360 Да -55 ... 150 TO-247
IXGR6N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 5.5А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 2.5 110 7 48 43 230 41 0.62 0.25 50 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGT32N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 75А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 32 90 2.5 48 42 360 560 6 14 350 Нет -55 ... 150 TO-268
IXBT42N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 42А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 42 90 2.8 36 188 330 740 - - 360 Да -55 ... 150 TO-268
IXGX32N170H1 IGBT-транзистор, 1700 В, 75А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 32 90 2.5 48 42 360 560 6 22 350 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники