Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGT32N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 75А, технология NPT

 

Блок-схема

IXGT32N170, IGBT-транзистор, 1700 В, 75А, технология NPT

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1700
Рабочий ток: IC,А 32
Рабочий ток: При TC,°C 90
VCE(sat),В 2.5
td(on) (тип.),нс 48
tr (тип.),нс 42
td(off) (тип.),нс 360
tf (тип.),нс 560
EON (тип.),мДж 6
EOFF (тип.),мДж 14
PD,Вт 350
FWD Нет
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-268
Datasheet
 
IXGx32N170 (577 Кб), 16.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGx32N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 75А, технология NPT (577 Кб), 16.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 588 		Дата публикации: 16.02.2012 12:00
Дата редактирования: 16.02.2012 12:01

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники