Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
IXGX320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
600 210 110 1.05 62 67 330 1540 - - 1000 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
600 210 110 1.05 62 67 330 1540 - - 1000 Нет -55 ... 150 TO-264
IXXX200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
600 200 110 1.4 46 94 180 215 4.4 3.45 1630 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXXK200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
600 200 110 1.4 46 94 180 215 4.4 3.45 1630 Нет -55 ... 175 TO-264
IXXX200N60C3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
600 200 110 1.6 47 96 150 90 4 2.1 1630 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXXK200N60C3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
600 200 110 1.6 47 96 150 90 4 2.1 1630 Нет -55 ... 175 TO-264
IXGN200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
600 200 110 1.35 42 80 430 300 2.4 4.2 830 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGB200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
600 200 110 1.35 42 80 430 300 2.4 4.2 1250 Нет -55 ... 150 PLUS264
IXGN400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 735 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGN400N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 430А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
600 200 110 1.25 50 50 295 225 4.4 4.25 1000 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGK400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 1000 Нет -55 ... 150 TO-264
IFS200V12PT4 IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ Infineon Technologies IGBT
1200 200 100 2.15 40 - 500 - 21.3 20 - Нет -40 ... 65 EconoPACK™ 4
IXGX400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 1000 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXXK200N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
650 200 110 1.7 62 76 245 80 4.4 2.2 1150 Нет -55 ... 175 TO-264
IXXX200N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
650 200 110 1.7 62 76 245 80 4.4 2.2 1150 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXGN400N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 400А IXYS IGBT
600 190 110 1.05 27 98 190 650 - - 830 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
MMIX1G320N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 400А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
600 180 110 1.2 40 68 330 265 3.5 5.4 1000 Нет -55 ... 150 SMD
IXGN320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
600 170 110 1.05 62 77 330 1540 - - 735 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXXK160N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
650 160 110 1.8 52 64 220 90 3.3 1.88 940 Нет -55 ... 175 TO-264
IXXX160N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
650 160 110 1.8 52 64 220 90 3.3 1.88 940 Нет -55 ... 175 PLUS247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019