Компоненты группы IGBT-транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
IXGX320N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 320А | IXYS |
IGBT |
600 | 210 | 110 | 1.05 | 62 | 67 | 330 | 1540 | - | - | 1000 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGK320N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 320А | IXYS |
IGBT |
600 | 210 | 110 | 1.05 | 62 | 67 | 330 | 1540 | - | - | 1000 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXXX200N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.4 | 46 | 94 | 180 | 215 | 4.4 | 3.45 | 1630 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IXXK200N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.4 | 46 | 94 | 180 | 215 | 4.4 | 3.45 | 1630 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IXXX200N60C3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.6 | 47 | 96 | 150 | 90 | 4 | 2.1 | 1630 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IXXK200N60C3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.6 | 47 | 96 | 150 | 90 | 4 | 2.1 | 1630 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IXGN200N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.35 | 42 | 80 | 430 | 300 | 2.4 | 4.2 | 830 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGB200N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.35 | 42 | 80 | 430 | 300 | 2.4 | 4.2 | 1250 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGN400N30A3 | IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц | IXYS |
IGBT |
300 | 200 | 110 | 1.15 | 47 | 53 | 240 | 315 | - | - | 735 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGN400N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 430А, частота коммутации 5...40 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.25 | 50 | 50 | 295 | 225 | 4.4 | 4.25 | 1000 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGK400N30A3 | IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц | IXYS |
IGBT |
300 | 200 | 110 | 1.15 | 47 | 53 | 240 | 315 | - | - | 1000 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IFS200V12PT4 | IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ | Infineon Technologies |
IGBT |
1200 | 200 | 100 | 2.15 | 40 | - | 500 | - | 21.3 | 20 | - | Нет | -40 ... 65 |
|
|
IXGX400N30A3 | IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц | IXYS |
IGBT |
300 | 200 | 110 | 1.15 | 47 | 53 | 240 | 315 | - | - | 1000 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXXK200N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
650 | 200 | 110 | 1.7 | 62 | 76 | 245 | 80 | 4.4 | 2.2 | 1150 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IXXX200N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
650 | 200 | 110 | 1.7 | 62 | 76 | 245 | 80 | 4.4 | 2.2 | 1150 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IXGN400N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 400А | IXYS |
IGBT |
600 | 190 | 110 | 1.05 | 27 | 98 | 190 | 650 | - | - | 830 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
MMIX1G320N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 400А, частота коммутации 5...40 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 180 | 110 | 1.2 | 40 | 68 | 330 | 265 | 3.5 | 5.4 | 1000 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGN320N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 320А | IXYS |
IGBT |
600 | 170 | 110 | 1.05 | 62 | 77 | 330 | 1540 | - | - | 735 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXXK160N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
650 | 160 | 110 | 1.8 | 52 | 64 | 220 | 90 | 3.3 | 1.88 | 940 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IXXX160N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
650 | 160 | 110 | 1.8 | 52 | 64 | 220 | 90 | 3.3 | 1.88 | 940 | Нет | -55 ... 175 |
|