Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 416 417 418 419 420 421 422 423 424 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFA7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-263
IXFH7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-247
IXFT6N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 6 180 TO-268
IXFH6N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 6 180 TO-247AD
IXTT12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-268
IXTY3N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 2000 2000 2000 2000 2000 3.6 70 TO-252
IXTP3N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 2000 2000 2000 2000 2000 3.6 70 TO-220
IXFP3N50PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 2000 2000 2000 2000 2000 2.7 36 TO-220-3 ISO
IXTA3N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 2000 2000 2000 2000 2000 3.6 70 TO-263
2N7000 N-channel 60V - 1.8? - 0.35A - TO-92 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 60 - - - 2000 1800 0.35 1 TO-92
IXFM6N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 6 180 TO-204AA
IXFH6N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 6 180 TO-247AD
IXTP4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2000 2000 2000 2000 2000 4 89 TO-220
FQPF5N60C 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - 2000 - 4.5 33 TO-220F
IXTA4N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 2000 2000 2000 2000 2000 4 89 TO-263
FQP5N60C 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - 2000 - 4.5 100 TO-220
IXTH5N100A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 5 180 TO-247AD
IXTM5N100A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 5 180 TO-204AA
MMBF2202PT1 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts P-Channel SC-70/SOT-323 ON Semiconductor MOSFET
 P 1 20 - - - 2000 1500 0.3 0.15 SC70
TN0110 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
 N 1 100 - - - 2000 1600 3.4 1 TO-92
Страницы: предыдущая 1 ... 416 417 418 419 420 421 422 423 424 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники