Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 416 417 418 419 420 421 422 423 424 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFH6N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 6 180 TO-247AD
IXTA08N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 21000 21000 21000 21000 21000 0.8 60 TO-263
STP5NB100FP N-CHANNEL 1000V - 2.4W - 5A TO-220FP PowerMesh™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 2400 5 40 TO-220FP
IXFT4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-268
IXTA2N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 7500 7500 7500 7500 7500 2 86 TO-263
IXFE23N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 430 430 430 430 430 21 500 ISOPLUS-227
STP8NK100Z N-CHANNEL 1000V - 1.60? - 6.5A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 1600 6.5 160 TO-220
IXFL38N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 230 230 230 230 230 29 520 ISOPLUS_i5
IXFM6N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 6 180 TO-204AA
STP5NB100 N-CHANNEL 1000V - 2.4W - 5A TO-220 PowerMesh™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 2400 5 135 TO-220
IXFH4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-247AD
IXTT1H100 High Voltage MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 - - - - 11000 1.5 60 TO-268
IXFN21N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 500 500 500 500 500 21 520 SOT-227 B
IXFL38N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 280 280 280 280 280 29 380 ISOPLUS264
IXFH6N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 6 180 TO-247AD
STF3NK100Z N-channel 1000V - 5.4? - 2.5A - TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 5400 2.5 25 TO-220FP
IXFP4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-263
IXTH1H100 High Voltage MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 - - - - 11000 1.5 60 TO-247AD
IXFX21N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 500 500 500 500 500 21 500 PLUS247
IXFN32N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 320 320 320 320 320 27 690 SOT-227 B
Страницы: предыдущая 1 ... 416 417 418 419 420 421 422 423 424 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники