Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFK180N15P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 11 | 11 | 11 | 11 | 11 | 180 | 830 |
|
|
MMIX1T600N04T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 40 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 600 | 830 |
|
|
IXFH18N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 660 | 660 | 660 | 660 | 660 | 18 | 830 |
|
|
IXFT18N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 660 | 660 | 660 | 660 | 660 | 18 | 830 |
|
|
IXTH150N17T | N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 175 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 | 150 | 830 |
|
|
IXFN240N15T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 240 | 830 |
SOT-227 |
|
IXFH150N17T | N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 175 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 | 150 | 830 |
|
|
IXTH160N15T | N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 9.6 | 9.6 | 9.6 | 9.6 | 9.6 | 160 | 830 |
|
|
MMIX1F520N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 500 | 830 |
|
|
IXFH160N15T | N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 9.6 | 9.6 | 9.6 | 9.6 | 9.6 | 160 | 830 |
|
|
IXTN120P20T | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | -106 | 830 |
|
|
IXFX64N50P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 85 | 85 | 85 | 85 | 85 | 64 | 830 |
|
|
IXTN200N10L2 | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 11 | 11 | 11 | 11 | 11 | 178 | 830 |
SOT-227 |
|
IXFK64N50P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 85 | 85 | 85 | 85 | 85 | 64 | 830 |
|
|
IXFT44N50Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 140 | 140 | 140 | 140 | 140 | 44 | 830 |
|
|
IXFX32N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 270 | 270 | 270 | 270 | 270 | 32 | 830 |
|
|
IXFK140N20P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 140 | 830 |
|
|
IXFH44N50Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 140 | 140 | 140 | 140 | 140 | 44 | 830 |
|
|
IXFX200N10P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 200 | 830 |
|
|
IXFK32N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 270 | 270 | 270 | 270 | 270 | 32 | 830 |
|