Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFK180N15P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 150 11 11 11 11 11 180 830 TO-264
MMIX1T600N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 600 830 SMPD-X
IXFH18N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 660 660 660 660 660 18 830 TO-247
IXFT18N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 660 660 660 660 660 18 830 TO-268
IXTH150N17T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 175 12 12 12 12 12 150 830 TO-247
IXFN240N15T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 150 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 240 830 SOT-227
IXFH150N17T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 175 12 12 12 12 12 150 830 TO-247
IXTH160N15T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 150 9.6 9.6 9.6 9.6 9.6 160 830 TO-247
MMIX1F520N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 75 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 500 830 SMPD-X
IXFH160N15T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 150 9.6 9.6 9.6 9.6 9.6 160 830 TO-247
IXTN120P20T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -200 30 30 30 30 30 -106 830 SOT-227 B
IXFX64N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 85 85 85 85 85 64 830 PLUS247
IXTN200N10L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 100 11 11 11 11 11 178 830 SOT-227
IXFK64N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 85 85 85 85 85 64 830 TO-264
IXFT44N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 140 140 140 140 140 44 830 TO-268
IXFX32N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 270 270 270 270 270 32 830 PLUS247
IXFK140N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 200 18 18 18 18 18 140 830 TO-264
IXFH44N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 140 140 140 140 140 44 830 TO-247
IXFX200N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 100 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 200 830 PLUS247
IXFK32N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 270 270 270 270 270 32 830 TO-264




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019