Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
NTGS3136P Power MOSFET -20 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 41 - - 25 - -5.1 1.25 TSOP-6
NTF5P03T3 Power MOSFET 5.2 Amps, 30 Volts P?Channel SOT?223 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -30 - - - 107 76 -5.2 3.13 SOT-223-4
TSM9435CS P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -5.3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -30 - - - 90 60 -5.3 2.5 SOP-8
TSM3481CX6 P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -5.3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -30 - - - 79 48 -5.3 2 SOT-26
NTHS5441 Power MOSFET ?20 V, ?5.3 A, P?Channel ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - - - 46 - -5.3 2.5 ChipFET_1206-8
DMP3098LSS SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -30 - - - 98 56 -5.3 2.5 SOP-8L
NTHS2101P Power MOSFET ?8.0 V, ?7.5 A P?Channel ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 1 -8 34 - - 19 - -5.4 1.3 ChipFET_1206-8
ZXMP3A16DN8 DUAL P-CHANNEL 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
P 2 -30 - - - 70 45 -5.5 1.25 SOIC-8
TSM3433CX6 P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -5.6 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 80 57 - 42 - -5.6 2 SOT-26
ZXMP7A17K 70V P-channel enhancement mode MOSFET Zetex MOSFET
P 1 -70 - - - 250 160 -5.7 4.17 D-PAK
NTLJS3113P Power MOSFET -20 V, -7.7 A, Cool Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 67 - - 32 - -5.8 1.9 WDFN6
TSM4431CS P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -5.8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -30 - - - 70 40 -5.8 2.5 SOP-8
DMP2066LSD DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -20 - - - 29 - -5.8 2 SOP-8L
IRFTS9342TRPBF Однокристальный p-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 -30 - - - 66 40 -5.8 2 TSOP-6
NTLJS2103P Power MOSFET -12 V, -7.7 A, Cool Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -12 45 - - 25 - -5.9 1.9 WDFN6
ZXMP10A18K 100V DPAK P-channel enhancement mode MOSFET Zetex MOSFET
P 1 -100 - - - - 150 -5.9 4.3 D-PAK
NTLJS1102P Power MOSFET ?8 V, ?8.1 A, COOL Single P?Channel, 2x2 mm, WDFN package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -8 - - - 45 25 -6.2 1.9 WDFN6
ZXMP4A16G 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
P 1 -40 - - - 100 60 -6.4 2 SOT-223-4
TSM9434DCS Сдвоенный P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -6.4 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 2 -20 - 60 - 40 - -6.4 2.5 SOP-8
TSM9434CS P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -6.4 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - 60 - 40 - -6.4 2.5 SOP-8




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019