Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 416 417 418 419 420 421 422 423 424 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTP2N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 6000 6000 6000 6000 6000 2 70 TO-220
IXTH4N150 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1500 6000 6000 6000 6000 6000 4 250 TO-247
STD2NK70Z N-channel 700V - 6? - 1.6 A - DPAK/IPAK Zener protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 700 - - - - 6000 1.6 45 D-PAK
I-PAK
BSS123W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 100 - - - 10000 6000 0.17 0.2 SOT-23-3
BSS123A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 100 - - - 10000 6000 0.17 0.36 SOT-23-3
BSS123 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 100 - - - - 6000 0.17 0.36 SOT-23-3
IXTP2N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 6200 6200 6200 6200 6200 2 54 TO-220
IXTA2N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 6200 6200 6200 6200 6200 2 54 TO-263
STP2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 TO-220
STD2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 D-PAK
STU2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, IPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 I-PAK
STP2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A,TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 TO-220
STU2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, IPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 I-PAK
STD2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 D-PAK
IRFIBE20GPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 800 - - - - 6500 1.4 30 TO-220F
IRFIBE20G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 800 - - - - 6500 1.4 30 TO-220F
TSM2N70CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 700 В, 2 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 700 - - - - 6500 2 45 TO-220
IXTY1R6N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 6500 6500 6500 6500 6500 1.6 43 TO-252
TSM2N70CP Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 700 В, 2 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 700 - - - - 6500 2 45 TO-252
TSM2N70CH Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 700 В, 2 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 700 - - - - 6500 2 45 TO-251
Страницы: предыдущая 1 ... 416 417 418 419 420 421 422 423 424 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники