Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 416 417 418 419 420 421 422 423 424 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
SiA456DJ N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 200 1200 - 1120 1080 - 2.6 19 PowerPAK SC70-6
IXFT10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-268
IXFR15N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 400 ISOPLUS247
IXFM10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-204AA
IXFH10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-247AD
Si1023X Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 2 20 1800 - 1200 800 - 0.37 0.25 SC89-6
Si1013X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 1 20 1800 - 1200 800 - 0.35 0.25 SC89-3
Si1013R P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 1 20 1800 - 1200 800 - 0.35 0.15 SC75A
IXTT8P50 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1200 1200 1200 1200 1200 -8 180 TO-268
IXTH8P50 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1200 1200 1200 1200 1200 -8 180 TO-247
IXTH12N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1300 1300 1300 1300 1300 12 400 TO-247
IXFV12N120PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 1350 1350 1350 1350 1350 12 543 PLUS220SMD
IXFV12N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 1350 1350 1350 1350 1350 12 543 PLUS220
IXFV10N100PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 PLUS220
IXTM6N90A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 1400 1400 1400 1400 1400 6 180 TO-204AA
IXFV10N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 PLUS220SMD
IXFH10N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 TO-247
IXTH6N90A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 1400 1400 1400 1400 1400 6 180 TO-247
IXTT10N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 400 TO-268
IXTH10N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 400 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 416 417 418 419 420 421 422 423 424 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники