Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 416 417 418 419 420 421 422 423 424 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
DMN3200U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 62 - 2.2 0.65 SOT-23-3
DMN3150LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 28 - - - 73 - 1.6 0.35 SOT-323
DMN3150L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 28 - - - 60 - 3.2 1.25 SOT-23-3
DMN3115UDM N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 40 - 3.2 0.9 SOT-26
DMN3112S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 92 47 5.8 1.4 SOT-23-3
DMN3052LSS SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 30 24 7.1 2.5 SOP-8L
DMN3052L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 33 26 5.4 1.4 SOT-23-3
DMN3051LDM N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 50 28 4 0.9 SOT-26
DMN3051L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 54 33 5.8 1.4 SOT-23-3
DMN3050S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 40 27 5.2 1.4 SOT-23-3
DMN3033LSN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 36 25 6 1.4 SC-59
DMN3033LSD DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 30 - - - 33 22 6.9 2 SOP-8L
DMN3033LDM N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 36 25 6.9 2 SOT-26
DMN3031LSS SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 26 15 9 2.5 SOP-8L
DMN3030LSS SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 26.4 15.7 9 2.5 SOP-8L
DMN3010LSS SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 13 9 16 2.5 SOP-8L
DMN3007LSS SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 7.9 5 16 2.5 SOP-8L
DMN2230U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 20 170 - - 81 - 2 0.6 SOT-23-3
DMN2215UDM DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 20 165 - - 80 - 2 0.65 SOT-26
DMN2170U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 20 - - - 50 - 2.3 0.6 SOT-23-3
Страницы: предыдущая 1 ... 416 417 418 419 420 421 422 423 424 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники