Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| STGB20NB37LZ | IGBT-транзистор на 400 В, 20 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
400 | 20 | 100 | 1.35 | 2300 | 600 | 2000 | 11500 | 8800 | 11800 | 200 | Нет | -55 ... 175 |
D2-PAK |
| T0900EB45A | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 900 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 900 | - | 3.05 | 2400 | 3200 | 1900 | 2400 | 3800 | 3600 | 7100 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
| T0340VB45G | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 340 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 340 | - | 2.8 | 3700 | 3600 | 1800 | 2200 | 2400 | 1300 | 2750 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W67 |
| T2250AB25E | Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 2250 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 2250 | - | 2.05 | 1200 | 2700 | 1800 | 8500 | 5300 | 3700 | 11800 | Нет | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W71 |
| T1200EB45E | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1200 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 1200 | - | 2.8 | 1800 | 3000 | 1600 | 2200 | 5700 | 5100 | 12500 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
| T0800EB45G | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 800 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 800 | - | 2.8 | 2000 | 3000 | 1600 | 2100 | 4100 | 4500 | 6600 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
| T1200TB25A | Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 120 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 1200 | - | 2.15 | 1000 | 2500 | 1500 | 8300 | 2800 | 2000 | 5900 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
| T0850VB25E | Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 850 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 850 | - | 2.05 | 1100 | 2000 | 1500 | 6000 | 2000 | 1400 | 4400 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W67 |
| T0570VB25G | Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 570 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 570 | - | 2.1 | 1000 | 2500 | 1500 | 9300 | 1400 | 950 | 2960 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W67 |
| T0360NB25A | Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 360 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 360 | - | 2.1 | 950 | 2000 | 1300 | 7500 | 850 | 600 | 1800 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W40 |
| TSG60N100CE | IGBT-транзистор на 1000В, 60А со встроенным ограничительным диодом |
|
Taiwan Semiconductor |
IGBT |
1000 | 42 | 100 | 2.5 | 230 | 210 | 1250 | 230 | 22 | 11 | 208 | Да | -55 ... 150 |
|
| T0600TB45A | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 600 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 600 | - | 2.9 | 1400 | 2100 | 1200 | 1500 | 1800 | 2000 | 4800 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
| T0500NB25E | Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 500 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 500 | - | 2.05 | 1000 | 2200 | 1200 | 7800 | 1200 | 840 | 2600 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W40 |
| STGW35NB60SD | N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 35 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 35 | 100 | 1.7 | 92 | 70 | 1100 | 790 | 0.84 | 7.4 | 200 | Да | -55 ... -150 |
|
| STGW35NB60S | N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 35 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 35 | 100 | 1.7 | 92 | 70 | 1100 | 790 | 0.84 | 7.4 | 200 | Нет | -55 ... -150 |
|
| IXGR60N60U1 | IGBT-транзистор, 600 В, 75А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 60 | 90 | 1.7 | 50 | 240 | 1000 | 1000 | - | 26 | 300 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGH12N100A | Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А |
|
IXYS |
IGBT |
1000 | 12 | 90 | 4 | 100 | 200 | 950 | 1250 | 1.1 | 2.2 | 100 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGP12N100AU1 | IGBT-транзистор, 1000 В, 24А |
|
IXYS |
IGBT |
1000 | 12 | 90 | 4 | 100 | 200 | 950 | 1250 | 1.1 | 8 | 100 | Да | -55 ... 150 |
TO-220AB |
| IXGA12N100AU1 | IGBT-транзистор, 1000 В, 24А |
|
IXYS |
IGBT |
1000 | 12 | 90 | 4 | 100 | 200 | 950 | 1250 | 1.1 | 8 | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGA12N100A | Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А |
|
IXYS |
IGBT |
1000 | 12 | 90 | 4 | 100 | 200 | 900 | 950 | 1.1 | 4 | 100 | Нет | -55 ... 150 |
|
