Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
STGW40NC60W Ультрабыстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 40 А STMicroelectronics IGBT
 600 40 100 2.5 33 12 168 36 302 349 250 Нет -55 ... -150 TO-247
IXGR24N60C IGBT-транзистор, 600 В, 42А IXYS IGBT
 600 22 110 2.1 15 12 130 110 0.15 0.6 80 Нет -40 ... 150 ISOPLUS247
IKW40N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 74 25 1.65 22 12 165 13 0.39 0.12 255 Да -40 ... 175 TO-247
IKP40N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 74 25 1.65 22 12 165 13 0.39 0.12 255 Да -40 ... 175 TO-220
STGW30NC60WD Ультраскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 600 30 100 2.5 29.5 12 118 27 305 181 200 Да -55 ... -150 TO-247
STGW30NC60KD IGBT-транзистор на 600 В, 30 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 28 100 2.7 29 12 120 85 350 435 200 Да -55 ... -150 TO-247
IKW30N65ES5 IGBT-транзистор семейства TRENCHSTOP™ 5 S5 на 650 В с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом, рассчитанным на весь диапазон рабочих токов Infineon Technologies IGBT
 650 39.5 100 1.35 17 12 124 30 0.56 0.32 188 Да -40 ... 175 TO-247
IGW40N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 40А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 46 100 1.65 22 12 165 13 0.39 0.12 255 Нет -40 ... 175 TO-247
IGP40N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 40А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 46 100 1.65 22 12 165 13 0.39 0.12 255 Нет -40 ... 175 TO-220
STGW45NC60VD Быстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 45 А STMicroelectronics IGBT
 600 50 100 2.4 33 13 178 65 333 537 270 Да -55 ... -150 TO-247
STGW39NC60VD Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 40 А STMicroelectronics IGBT
 600 40 100 2.4 33 13 178 65 333 537 250 Да -55 ... -150 TO-247
IKW40N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 74 25 1.6 19 13 160 16 0.36 0.1 255 Да -40 ... 175 TO-247
IKP40N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 74 25 1.6 19 13 160 16 0.36 0.1 255 Да -40 ... 175 TO-220
TSG10N120CN IGBT-транзистор на 1200В, 21А со встроенным ограничительным диодом Taiwan Semiconductor IGBT
 1200 10.5 100 2.7 30 13 130 460 0.3 0.5 125 Да -55 ... 150 TO-3P
IXGT20N140C3H1 IGBT-транзистор, 1400 В, 20А, частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 1400 20 100 4 22 13 144 380 2.33 1.64 250 Да -55 ... 150 TO-268
IXGH20N140C3H1 IGBT-транзистор, 1400 В, 20А, частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 1400 20 100 4 22 13 144 380 2.33 1.64 250 Да -55 ... 150 TO-247AD
IGW40N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 40 100 1.6 19 13 160 16 0.36 0.1 255 Нет -40 ... 175 TO-247
IGP40N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 40 100 1.6 19 13 160 16 0.36 0.1 255 Нет -40 ... 175 TO-220
IRG7PH35UD Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод International Rectifier (IRF) IGBT
 1200 35 100 1.9 30 15 160 80 1.75 1.12 180 Да -55 ... 175 TO-247AC
TO-247AD
IKW50N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 56 100 1.65 21 15 180 18 0.52 0.18 305 Да -40 ... 175 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники