Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTV250N075T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 4 4 4 4 4 250 550 PLUS220
IXFX250N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 100 6.5 6.5 6.5 6.5 6.5 250 1250 PLUS247
IXTK250N10 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 100 5 5 5 5 5 250 730 TO-264
IXFK250N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 100 6.5 6.5 6.5 6.5 6.5 250 1250 TO-264
IXTQ250N075T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 4 4 4 4 4 250 550 TO-3P
STB230NH03L N-channel 30V - 80A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 2.3 250 300 D2-PAK
IXTH250N075T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 4 4 4 4 4 250 550 TO-247
NTJD4001N Small Signal MOSFET 30 V, 250 mA, Dual N-Channel, SC-88 ON Semiconductor MOSFET
N 2 30 - - - - - 250 272 SC-88
FDMT80080DC N-канальный MOSFET-транзистор с технологией Dual Cool 88, выполненный на основе техпроцесса PowerTrench®, 80 В, 254 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 80 - - - - 1.35 254 156 PQFN 8x8
IRL3713S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 4 3 260 200 D2-PAK
IRL3713L HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 4 3 260 200 TO-262
IRL3713 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 4 3 260 200 TO-220AB
IXTA260N055T2-7 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 260 480 TO-263-7
IXFN320N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 170 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 260 1070 SOT-227
IXTH260N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 3.3 3.3 3.3 3.3 3.3 260 480 TO-247
PMF3800SN N-channel TrenchMOS standard level FET NXP MOSFET
N 1 60 - - - 3.8 2.8 260 0.56 SOT-323
IRF2903ZS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - - 2.4 260 290 D2-PAK
IRF2903ZL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - - 2.4 260 290 TO-262
IRFS3107-7PPbF 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 75 - - - - 2.1 260 370 D2-PAK-7
IRF2903Z HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - - 2.4 260 290 TO-220AB




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019