Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFN38N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 210 210 210 210 210 38 1000 SOT-227 B
IXFX48N60Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 140 140 140 140 140 48 1000 PLUS247
IXFK48N60Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 140 140 140 140 140 48 1000 TO-264
IXTH440N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 440 1000 TO-247
IXFK24N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 440 440 440 440 440 24 1000 TO-264
IXTT440N055T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 55 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 440 1000 TO-268
IXFN32N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 310 310 310 310 310 32 1000 SOT-227 B
IXFX24N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 440 440 440 440 440 24 1000 PLUS247
IXFT320N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 320 1000 TO-268
IXFH320N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 320 1000 TO-247
IXFK32N80Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 270 270 270 270 270 32 1000 TO-264
IXFX32N80Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 270 270 270 270 270 32 1000 PLUS247
IXTT500N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 500 1000 TO-268
IXFN56N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 145 145 145 145 145 56 1000 SOT-227 B
IXTH500N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 500 1000 TO-247
IXFH320N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 320 1000 TO-247
IXFH400N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 75 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 400 1000 TO-247
IXFN36N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1100 240 240 240 240 240 36 1000 SOT-227 B
IXFT400N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 75 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 400 1000 TO-268
IXFN30N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1100 360 360 360 360 360 25 1000 SOT-227 B




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019