Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
STD3NK100Z | N-channel 1000V - 5.4? - 2.5A - DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 5400 | 2.5 | 90 |
D-PAK |
|
IXFX14N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 750 | 750 | 750 | 750 | 750 | 14 | 360 |
|
|
IXTH1N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.5 | 60 |
|
|
IXFH15N100P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 760 | 760 | 760 | 760 | 760 | 15 | 543 |
|
|
IXTY01N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 0.1 | 25 |
|
|
IXTA08N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 0.8 | 42 |
|
|
IXFH13N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 12.5 | 300 |
|
|
IXTY05N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 0.75 | 40 |
TO-252 |
|
IXFH14N100Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 950 | 950 | 950 | 950 | 950 | 14 | 500 |
|
|
IXTP05N100M | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 17000 | 17000 | 1700 | 1700 | 17000 | 0.7 | 25 |
|
|
IXTP08N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 20000 | 0.8 | 42 |
TO-220 |
|
IXTN30N100L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 450 | 450 | 450 | 450 | 450 | 30 | 800 |
|
|
IXFM12N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 300 |
|
|
IXTU05N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 0.75 | 40 |
|
|
IXTH6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 2200 | 6 | 300 |
|
|
IXFV12N100PS | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 463 |
|
|
IXTA05N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 17000 | 0.75 | 40 |
|
|
FQA8N100C | 1000V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | - | - | - | - | 1200 | 8 | 225 |
TO-3PN |
|
IXTB30N100L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 450 | 450 | 450 | 450 | 450 | 30 | 800 |
|
|
IXFH12N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 300 |
|