Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STD3NK100Z N-channel 1000V - 5.4? - 2.5A - DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 5400 2.5 90 D-PAK
IXFX14N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 750 750 750 750 750 14 360 PLUS247
IXTH1N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 11000 11000 11000 11000 11000 1.5 60 TO-247AD
IXFH15N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 760 760 760 760 760 15 543 TO-247
IXTY01N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.1 25 TO-252 AA
IXTA08N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 20000 20000 20000 20000 20000 0.8 42 TO-263
IXFH13N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 900 900 900 900 900 12.5 300 TO-247AD
IXTY05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-252
IXFH14N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
N 1 1000 950 950 950 950 950 14 500 TO-247
IXTP05N100M Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 1700 1700 17000 0.7 25 TO-220-3 ISO
IXTP08N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 20000 20000 20000 20000 20000 0.8 42 TO-220
IXTN30N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1000 450 450 450 450 450 30 800 SOT-227 B
IXFM12N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-204AA
IXTU05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-251
IXTH6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 2200 2200 2200 2200 2200 6 300 TO-247
IXFV12N100PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 463 PLUS220SMD
IXTA05N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 17000 17000 17000 0.75 40 TO-263
FQA8N100C 1000V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 1000 - - - - 1200 8 225 TO-3PN
IXTB30N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1000 450 450 450 450 450 30 800 PLUS264
IXFH12N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-247AD




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019