Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
BSS138 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 3500 0.2 0.3 SOT-23-3
BSS123W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 100 - - - 10000 6000 0.17 0.2 SOT-23-3
BSS123LT1 Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N?Channel SOT?23 ON Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 5000 0.17 0.225 SOT-23-3
BSS123A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 100 - - - 10000 6000 0.17 0.36 SOT-23-3
BSS123 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 100 - - - - 6000 0.17 0.36 SOT-23-3
BSS123 N-канальный TrenchMOS транзистор с логическим уровнем FET NXP MOSFET
N 1 100 - - - - 3500 0.15 0.25 SOT-23-3
BSP89 N-канальный D-MOS транзистор режима вертикального повышения NXP MOSFET
N 1 240 - - - 7500 2800 0.375 1.5 SOT-223-4
BSP250 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
P 1 30 - - - - 250 3 1.65 SOT-223-4
BSP230 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
P 1 300 - - - - 17000 0.21 1.5 SOT-223-4
BSP225 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
P 1 250 - - - - 15000 0.225 1.5 SOT-223-4
BSP220 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
P 1 200 - - - - 12000 0.225 1.5 SOT-223-4
BSP130 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
N 1 300 - - 4800 - 3700 350 1.5 SOT-223-4
BSP126 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
N 1 250 - - - - 2800 375 1.5 SOT-223-4
BSP122 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
N 1 200 - - 3000 - 1700 550 1.5 SOT-223-4
BSP110 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 100 - - - 5000 - 520 6.25 SOT-223-4
BSP100 N-channel enhancement mode TrenchMOS (tm) transistor NXP MOSFET
N 1 30 - - - 200 100 6 8.3 SOT-223-4
BSP030 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 30 - - - 30 20 10 8.3 SOT-223-4
BSN304 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor NXP MOSFET
N 1 300 - - 4800 - 3700 0.3 1 TO-92
BSN20 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
N 1 50 - - - - 2800 173 0.83 SOT-23-3
BSH207 P-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
P 1 12 140 - 117 80 - 1.52 0.417 SC74-6




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019