Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STF30NM60ND N-channel 600 V, 0.11 ?, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET(with fast diode) TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 110 25 40 TO-220FP
IXTP160N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 40 5 5 5 5 5 160 250 TO-220
Si9407BDY P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 60 - - - 126 100 4.7 5 SOIC-8
FDP16AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 70 - - - - 13 58 135 TO-220AB
PSMN020-150W N-канальный TrenchMOS™ транзистор NXP MOSFET
N 1 150 - - - - 12 73 300 TO-247
IXTH50N30 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 300 65 65 65 65 65 50 400 TO-247
IRF3709ZCL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 7.8 6.3 87 79 TO-262
STW21NM60ND N-channel 600 V, 0.17 ?, 17 A FDmesh™ II Power MOSFET TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 170 17 140 TO-247
FCP190N65F N-канальный MOSFET-транзистор семейства SuperFET® II, 650 В, 20.6 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 650 - - - - 190 20.6 208 TO-220
IXFC16N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 450 450 450 450 450 10 125 ISOPLUS220
Si7462DP N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 110 2.6 1.9 PowerPAK_SO-8
IPD50N06S4-09 N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 7.1 50 71 TO-252
STP8NM60FP N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 ?, 8 A MDmesh™ Power MOSFET TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 900 8 0 TO-220FP
BSC014N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 1.45 100 156 SuperSO8
IXTT110N10P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 100 15 15 15 15 15 110 480 TO-268
FQP11N40C 400V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 400 - - - - 430 10.5 135 TO-220
IRLI620G HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 800 4 30 TO-220F
IRLR8726PbF 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 5.8 4 86 75 D-PAK
STP75NF20 N-channel 200V - 0.028? - 75A - TO-220 Low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 28 75 190 TO-220
IXTP86N20T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 200 29 29 29 29 29 86 480 TO-220




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019