Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTH6N150 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1500 3500 3500 3500 3500 3500 6 540 TO-247
SiA850DJ N-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V Diode Vishay MOSFET
N 1 190 3500 - 3200 3000 - 0.95 7 PowerPAK SC70-6
DMN2005K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 20 3500 - 1700 - - 0.6 0.35 SOT-23-3
IXFA3N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 3600 3600 3600 3600 3600 3.6 100 TO-263
IXFP3N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 3600 3600 3600 3600 3600 3.6 100 TO-220
IXTN8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 7.5 700 SOT-227 B
IXTX8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 8 700 PLUS247
IXTK8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 8 700 TO-264
IXTY2R4N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 3750 3750 3750 3750 3750 2.4 55 TO-252
IXTP2R4N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 3750 3750 3750 3750 3750 2.4 55 TO-220
TN0702 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Supertex, Inc. MOSFET
N 1 20 4000 - - - - 1 1 TO-92
CPC3703C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 250 4000 4000 4000 4000 4000 0.36 1.6 SOT-89
IXFP3N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-220
IXFA3N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-263
IXTH3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 150 TO-247
IXTP3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-220
IXTA3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-263
IXTY08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-252
IXTP08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-220AB
IXTA08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-263




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019